多晶硅生產工藝過程，氣體分析儀應用與選型

更新時間：2025-08-15 點擊次數：940

多晶硅作為光伏及半導體產業鏈的上游近年發展潛力巨大，多晶硅的生產包括兩大主流工藝，改良西門子法和硅烷流化床法，目前全球主流的多晶硅生產方法是改良西門子法，國內外95%以上的多晶硅是采用改良西門子法生產的，是目前應用廣泛的生產技術。

西門子法制備多晶硅過程，首先將氯氣與氫氣結合生成氯化氫，然后氯化氫氣體和工業硅粉再合成三氯氫硅，合成工藝的產生的合成氣送至尾氣回收工序進行分離，分離出的氫氣(回收氫氣)經純化后送至還原工序或氫化工序循環使用，分離出的氯化氫 (收氯化氫氣體)返回三氯氫硅合成工序，分離出的氯硅烷液體送至精餾提純工序提純，提純后的三氯氫硅送至三氯氫硅還原工序，在氫還原爐內進行 CVD反應生產高純多晶硅，還原氣進入尾氣回收工序，提純后的四氯化硅送四氯化硅氫化工序氫化，氫化氣再送至尾氣回收工序，整個生產過程包括合成、精餾、還原、氫化、尾氣回收等工序。

最終生產的多晶硅融化冷卻后制成多晶硅錠，也可通過直拉法或區熔法生成單晶硅。多晶硅錠和單晶硅棒均可進一步切割加工，進而成為光伏組件的關鍵部分；或者進行打磨、拋光、外延、清洗等工藝形成硅晶圓片，作為半導體電子器件的襯底材料。

多晶硅生產工藝，過程氣體分析儀的必要性：

多晶硅在生產過程中，需要使用或者存在大量易燃易爆、有毒及腐蝕性氣體如H2、CL2、HCL等，無論是安全需要還是質量控制或者是降本增效的目的，都需要對多晶硅生產過程中的氣體進行實時分析監測。

1、工藝控制

合成階段需要用到純氯氣和氫氣合成氯化氫氣體，需要對氫氣微量氧、露點、CO、CO2、CH4等雜質進行檢測，氯氣需要嚴格控制水分含量，因此需要檢測氯氣中微量水分含量。

精餾工序是對氯硅烷合成、外購氯硅烷、還原爐尾氣回收的氯硅烷、氫化爐尾氣回收的氯硅烷進行多塔連續精餾、除去B、P等雜質，制取高純三氯氫硅產品和四氯化硅產品。的是P、 B、 Fe、 C 、As、Sb等雜質含量

還原階段需要氫氣作為還原劑參與還原反應，若氫氣中氧含量大于20ppm，露點大于-30 ℃時，會使三氯氫硅發生水解或氧化，有CO2、CO時則會使還原爐內襯底氧化，對多晶硅產品質量產生直接影響。同時還原爐內需要通氮氣作為保護氣體，氮氣在還原爐置換過程中大范圍與原料三氯氫硅和氫氣接觸，氮氣露點微量氧含量將極大影響多晶硅質量，因此也需要對氮氣的微量氧、微量水進行監測，檢測達標后進行吹掃置換。

尾氣回收階段，合成、還原、氫化工序排出的反應氣，尾氣回收系統集中回收，然后再分離成氯硅烷混合液、氯化氫和氫氣，回收氫送至氫氣儲罐，氯化氫送至合成工序氯化氫儲罐，氯硅烷混合液送至精餾工序再利用，對于回收的氯化氫和氫氣也需要對其質量進行監控，保證水分和微量氧達標。

2、安全監控

多晶硅生產工藝過程存在大量CL2、HCL等強腐蝕性氣體，水分含量超標會對管道、門閥等產生腐蝕，因此對于氯氣微量水、氯化氫總管中微量水等都需要實時監控。

氫化階段需要監測氫化尾氣組份中氫氣含量，防止氫氣含量超標引起的爆炸風險。